半導體領域:占比 28%,用于晶圓制造的金屬互聯(lián)層與鈍化層沉積,在第三代半導體器件制造中的滲透率持續(xù)攀升,如氮化鎵功率器件就需要使用銦靶。
良好的機械和熱學特性:硬度較高,在研磨、拋光過程中不易被劃傷,保證了薄膜表面的平整性;同時能夠承受較高的溫度而不發(fā)生分解或結(jié)構(gòu)破壞,在高溫環(huán)境中的抗裂性和耐用性良好,確保了薄膜在濺射和高溫條件下的穩(wěn)定性。
靶材原料(占比約 60%):
用于制備 ITO(氧化銦錫)靶材,生產(chǎn) LCD、OLED 顯示面板的透明導電膜(如手機屏幕、電視面板)。
光伏領域:作為 CIGS(銅銦鎵硒)薄膜太陽能電池的關鍵原料,提升光電轉(zhuǎn)換效率。
合金與特殊材料(占比約 10%):
銦錫合金:熔點低至 120℃,用于保險絲、牙科材料;銦鉛合金可作為核反應堆的中子吸收材料。
銦箔與涂層:高純銦箔用于真空密封、輻射屏蔽(如 X 射線探測器),或作為耐腐蝕涂層(如海洋工程)。
科研與新興領域:
量子點顯示、鈣鈦礦電池、柔性電子器件等前沿技術中,精銦作為高純原料用于薄膜沉積或材料合成。